Η Samsung Electronics Co. Ltd. ανακοίνωσε την έναρξη μαζικής παραγωγής της 9ης γενιάς V-NAND τετραπλής κυψέλης (QLC), επιτυγχάνοντας ορόσημο στον τομέα της αποθήκευσης δεδομένων
Η νέα αυτή τεχνολογία, η οποία βασίζεται στο Channel Hole Etching για την επίτευξη του μεγαλύτερου αριθμού επιπέδων με δομή διπλής στοίβας, έρχεται μόλις τέσσερις μήνες μετά την παραγωγή της 9ης γενιάς V-NAND με τριπλή κυψέλη (TLC).
Η εταιρεία σχεδιάζει να εφαρμόσει τη νέα τεχνολογία τόσο σε καταναλωτικά προϊόντα όσο και σε λύσεις για φορητούς υπολογιστές και διακομιστές.
Με τη χρήση της τεχνολογίας Predictive Program, η Samsung κατάφερε να βελτιώσει την ταχύτητα εγγραφής και εισόδου δεδομένων κατά 60%, ενώ παράλληλα μείωσε την κατανάλωση ενέργειας κατά 30% και 50% σε ανάγνωση και εγγραφή αντίστοιχα, καθιστώντας τη νέα V-NAND πιο αποδοτική και αξιόπιστη για προηγμένες εφαρμογές.
Μην ξεχάσετε να ακολουθήσετε το Xiaomi-miui.gr στο Google News για να ενημερώνεστε αμέσως για όλα τα νέα άρθρα μας ! Μπορείτε επίσης αν χρησιμοποιείτε RSS reader, να προσθέσετε την σελίδα μας στη λίστα σας, ακολουθώντας απλά αυτό τον σύνδεσμο >> https://xiaomi-miui.gr/feed/gn
