Η Qualcomm αναμένεται να εισαγάγει ένα σχεδιασμό ψύκτρας που ονομάζεται Heat Pass Block (HPB) στο Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro
Αυτή η τεχνολογία φέρεται να είναι η ίδια με αυτή που χρησιμοποιείται στο Samsung Exynos 2600, με ένα ειδικό θερμικό στρώμα πάνω από το πακέτο τσιπ για να επιταχύνει την απαγωγή θερμότητας από την περιοχή του πυρήνα και να αποτρέψει τα σημεία συμφόρησης απόδοσης που προκαλούνται από υπερθέρμανση.
Δεδομένης της πρόσφατης επιδίωξης της Qualcomm για υψηλότερες ταχύτητες ρολογιού, υπάρχουν ακόμη και φήμες ότι η μέγιστη ταχύτητα ρολογιού του Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro μπορεί να ξεπεράσει και τα 6 GHz.
Εκτός από τις αναβαθμίσεις στον τρόπο απαγωγής της θερμότητας, το Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro μπορεί να υιοθετήσει την συσκευασία Package-on-Package (PoP), στοιβάζοντας τη μνήμη απευθείας πάνω από τον επεξεργαστή για εξοικονόμηση χώρου και βελτίωση της απόδοσης.
Το νέο τσιπ θα υποστηρίζει επίσης μνήμη LPDDR6 και LPDDR5X, καθώς και αποθήκευση UFS 5.0 μέσω διπλών καναλιών ευρείας ζώνης υψηλής συχνότητας. Συγκεκριμένα, μια νέα διαρροή αναφέρει δυνατότητες εξόδου πολλαπλών οθονών, υποδηλώνοντας ότι τα μελλοντικά τηλέφωνα που είναι εξοπλισμένα με αυτό το τσιπ ενδέχεται να προσφέρουν μια πιο ολοκληρωμένη υποστήριξη για τις εξωτερικές οθόνες και τις σύνθετες λειτουργίες επιφάνειας εργασίας.
Μην ξεχάσετε να ακολουθήσετε το Xiaomi-miui.gr στο Google News για να ενημερώνεστε αμέσως για όλα τα νέα άρθρα μας ! Μπορείτε επίσης αν χρησιμοποιείτε RSS reader, να προσθέσετε την σελίδα μας στη λίστα σας, ακολουθώντας απλά αυτό τον σύνδεσμο >> https://xiaomi-miui.gr/feed
